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臺(tái)灣代工巨頭臺(tái)積電首席執(zhí)行官表示，芯片設(shè)計(jì)廠商對(duì)28nm工藝產(chǎn)品的熱情度極高，比40nm工藝準(zhǔn)備期同階段產(chǎn)品數(shù)量多三倍以上。

“智能手機(jī)和平板電腦是新的殺手級(jí)應(yīng)用，”臺(tái)積電歐洲區(qū)總裁Maria Marced說(shuō)，“我們預(yù)見(jiàn)到28nm設(shè)計(jì)的爆發(fā)。我們流水線上已經(jīng)擁有89

種產(chǎn)品定案（tape-out，準(zhǔn)備流片的方案）?！盡arced補(bǔ)充說(shuō)。她表示臺(tái)積電目前擁有世界上90%的28nm產(chǎn)品預(yù)案。

同時(shí)該公司28nm硅已經(jīng)對(duì)部分客戶(hù)出貨，Marced說(shuō)。“移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)要求在同等性能情況下功耗要低得多。”臺(tái)積電將同時(shí)提供高K金屬柵級(jí)（HKMG）和傳統(tǒng)多晶硅工藝，而20nm產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2012年下半年投產(chǎn)。

然而，臺(tái)積電不準(zhǔn)備部署據(jù)說(shuō)是移動(dòng)設(shè)備的福音的FinFET技術(shù)，至少14nm節(jié)點(diǎn)之前不會(huì)。這一策略與英特爾不同，英特爾最近發(fā)布了名為三柵

極技術(shù)的FinFET器件的應(yīng)用，使用該公司的1270工藝制程（即22nm工藝）。目前1270工藝準(zhǔn)備下半年于英特爾亞利桑那州的F32工廠量產(chǎn)（參閱電子工程專(zhuān)輯報(bào)道：英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時(shí)代）。

這使得英特爾在工藝尺寸方面比臺(tái)積電領(lǐng)先了一年左右，并在FinFET器件的應(yīng)用方面領(lǐng)先更多。據(jù)報(bào)道FinFET器件在這些精微尺寸上與平面晶體管相比功耗表現(xiàn)更好。  

Marced表示，由于英特爾是一家垂直集成化的企業(yè)，控制了從設(shè)計(jì)到制造到測(cè)試的各個(gè)環(huán)節(jié)，需要引入到FinFET器件的制造和測(cè)試技術(shù)都能比臺(tái)積電更快實(shí)現(xiàn)?！岸_(tái)積電是一家代工企業(yè)，由客戶(hù)提供產(chǎn)品設(shè)計(jì)，因此需要需要為FinFET器件準(zhǔn)備好生態(tài)系統(tǒng)，這意味著包括設(shè)計(jì)工具，IP，設(shè)計(jì)套件等。對(duì)于我們，20nm仍將是平面技術(shù)。”

Marced認(rèn)為臺(tái)積電2011年代工部門(mén)增長(zhǎng)速度將超過(guò)整體代工產(chǎn)業(yè)的原因之一，是殺手級(jí)應(yīng)用智能手機(jī)和平板電腦的爆發(fā)性增長(zhǎng)。臺(tái)積電的目標(biāo)是2011年?duì)I收增長(zhǎng)20%，而預(yù)計(jì)整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)為15%。同時(shí)該公司估計(jì)整體半導(dǎo)體市場(chǎng)將僅僅增長(zhǎng)2%。